李在镕重申东京宣言，三星砸千亿要再创半导体“超级差距”

分享到

财经 2022-10-6 06:07 696人浏览 0人回复

收藏分享邀请

摘要

原创刘元芯片说 IC TIME 2022-08-19 19:52 发表于北京8月19日，三星电子副会长李在镕出席了以“用世界上不存在的技能创造未来”为口号的器兴下一代半导体研发中心开工仪式。这是李在镕被特赦后的第一次公开亮相，

原创刘元芯片说 IC TIME 2022-08-19 19:52 发表于北京

8月19日，三星电子副会长李在镕出席了以“用世界上不存在的技能创造未来”为口号的器兴下一代半导体研发中心开工仪式。

这是李在镕被特赦后的第一次公开亮相，他将开始“新三星”的经营，并通过研究下一代半导体技能，创造超级技能差距，降服三星电子以及韩国经济的危机。

在仪式上，李在镕夸大，到 2028 年，三星电子将投资20 万亿韩元（1020亿元人民币）以继承引领全球半导体市场的“超级差距”。

三星电子于1992年世界初次开发64M DRAM，同年三星电子DRAM市场排名第一，次年内存半导体范畴排名第一，就此奠基了“半导体超差距”的基础。李在镕还回忆了前会长李秉喆的话——“半导体财产是高附加值财产，不仅有很大的市场性，而且对其他财产也有连锁反应”。

李在镕说：“我在器兴工厂开始了新的挑战，40 年前第一台铁锹在那边创建了一家半导体工厂，让我们继承以技能为导向和前瞻投资的传统，让我们用世界上没有的技能创造未来。没有对下一代和下一代产品的大胆研发投资，三星半导体就没有今天。让我们继承关注技能和继承前瞻投资的传统，让我们用世界上没有的技能创造未来。”

器兴园区是三星半导体事业的诞生地。李秉喆于1983年2月在东京发表《东京宣言》，正式开启DRAM事业序曲。1983年12月三星电子在这里乐成开发出64K DRAM（动态随机存储器）VLSI芯片，并因此成为世界半导体产品向导者。1992年,三星又率先推出全球第一个64M DRAM,并于当年逾越日本NEC,成为全球最大的DRAM制造商，可见器兴园区也是三星实现“半导体超级差距”的地方。李在镕夸大，“我们将在 40 年前开始建立半导体工厂的器兴工厂开始新的挑战。”

工商界人士表示：“在面向未来的研发中心奠基仪式上，40年前的《东京宣言》的话再次被提了出来，意在回到已往的起点，展现三星电子将通过大胆和先发制人的投资，迈向新的未来。”

三星电子的目标是通过实现半导体超级差距，在存储半导体市场上占据头把交椅，并在代工市场逾越台积电成为第一。此次三星电子在器兴园区新建的下一代半导体研发中心旨在抢占下一代半导体技能。三星电子操持到 2028 年投资约 20 万亿韩元建立下一代半导体研发中心，其中包括操持于2025 年中期运营的半导体研发线。该研发中心有望成为存储器、无晶圆系统半导体和代工厂等半导体范畴的核心研究基地。三星电子预测，这将是国内半导体财产生态发展的契机。

三星电子相干负责人表示，“配备开始进设施的研发线建成后，可以更自由、更积极地进行各种测试，缩短下一代新产品的开发周期，进步半导体质量。”

三星电子操持通过研发中心的建立，加强与国内外材料、装备及零部件企业的合作，动员就业和人才发展，为韩国半导体财产生态系统的发展做出贡献。三星电子DS部分负责人Kyung-hyeon Kye在奠基仪式上说：“我们将通过创造各种教诲机会，让良好的R&D职员聚集和发展，从而创建一个引导构造发展的良性循环布局。”